Die Infineon Technologies AG hat bei der Umsetzung der 200-Millimeter-Siliziumkarbid (SiC)-Strategie entscheidende Fortschritte erzielt. Das Unternehmen wird bereits im ersten Quartal 2025 die ersten Produkte, die auf der fortschrittlichen 200-mm-SiC-Technologie basieren, an Kunden ausliefern.
Erstklassige SiC-Power-Technologie. Die in Villach gefertigten Produkte bieten erstklassige SiC-Power-Technologie für Hochspannungsanwendungen, darunter erneuerbare Energien, Elektrofahrzeuge, Schnellladestationen und Züge. Auch die Umstellung des Infineon-Produktionsstandorts in Kulim, Malaysia, von 150-Millimeter-Wafern auf die größeren und effizienteren 200-Millimeter-Wafer verläuft nach Plan.
Thomas Reisinger, Vorstand für Operations: „Als Kompetenzzentrum für neue Halbleitermaterialen im Infineon-Konzern haben wir mit der Markteinführung der ersten Siliziumkarbid-Produkte auf 200-Millimeter-Wafer erneut unsere Innovationskraft unterstrichen – nach der Galliumnitrid-300 –Millimeter-Technologie und den Ultradünnwafern mit 20um auf Siliziumbasis. Dieser technologische ‚Hattrick‘ ist eine enorme Leistung, die das perfekte Zusammenspiel unserer Forschungs-, Entwicklungs- und Produktionsteams widerspiegelt. Produkte aus Siliziumkarbid ermöglichen unseren Kunden, noch energieeffizientere Lösungen für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energiesysteme und KI-Rechenzentren zu entwickeln.“
