Die Infineon Technologies AG gab dieser Tage bekannt, dass es dem Unternehmen gelungen ist, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu entwickeln. Infineon ist das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrscht.

Wesentlich effizienter. Dieser Durchbruch wird dazu beitragen, den Markt für GaN-basierte Leistungshalbleiter deutlich voranzutreiben. Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Wafer-Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht. Leistungshalbleiter auf GaN-Basis finden zügige Verbreitung in den Bereichen Industrie, Automotive sowie Konsumenten-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen („Consumer, Computing & Communications“).

Hervorragende Versorgungsstabilität. Beispiele sind Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter sowie Motorsteuerungssysteme. Modernste GaN-Fertigungsverfahren verbessern die Leistung der Bauelemente; das ermöglicht eine höhere Effizienz, geringere Größe und Gewicht sowie niedrigere Gesamtkosten von Anwendungen der Endkunden. Die 300-Millimeter-Fertigung sichert Kunden darüber hinaus eine hervorragende Versorgungsstabilität durch Skalierbarkeit.

„Technologischer Durchbruch“. „Dieser bemerkenswerte Erfolg ist das Ergebnis unserer Innovationskraft und der engagierten Arbeit unseres globalen Teams und unterstreicht unsere Position als Innovationsführer in den Bereichen GaN und Power-Systemen“, sagt Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG. „Dieser technologische Durchbruch wird die Branche verändern und uns helfen, das volle Potenzial von Galliumnitrid zu erschließen. Weniger als ein Jahr nach der Übernahme von GaN Systems beweisen wir erneut, dass wir entschlossen sind, eine führende Rolle im schnell wachsenden GaN-Markt einzunehmen.“

Etablierte Kompetenz in Villach genutzt. Infineon ist es gelungen, 300-Millimeter-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion in der Power-Fab in Villach (Österreich) herzustellen. Das Unternehmen nutzt dabei seine etablierte Kompetenz in der 300- Millimeter-Silizium- und 200-Millimeter-GaN-Produktion. Infineon wird die GaN-Kapazitäten entsprechend den Marktbedürfnissen weiter ausbauen. Die 300-Millimeter-GaN-Fertigung wird Infineon in die Lage versetzen, den wachsenden GaN-Markt zu prägen, der Schätzungen zufolge bis zum Ende des Jahrzehnts mehrere Milliarden US-Dollar erreichen wird. Der herausragende technologische Erfolg unterstreicht die Position von Infineon als weltweit führendes Halbleiterunternehmen im Bereich der Power-Systeme und des Internets der Dinge (IoT).

Maßgeblicher Beitrag des Villacher Teams. Thomas Reisinger, Vorstand für Operations bei Infineon Technologies Austria: „Wir sind sehr stolz, mit der Entwicklung der Technologie zur industriellen Herstellung der weltweit ersten 300-Millimeter-Power-Galliumnitrid-Wafer einen bahnbrechenden Meilenstein erreicht zu haben. Unser Villacher Team hat maßgeblich zu diesem Konzernerfolg im Bereich der Leistungselektronik beigetragen, der ein wichtiger Hebel für die Dekarbonisierung und Digitalisierung ist.“

Vorstellung im November in München. Infineon wird die ersten 300-Millimeter-GaN-Wafer auf der Branchenmesse electronica im November 2024 in München der Öffentlichkeit vorstellen. Ein wesentlicher Vorteil der 300-Millimeter-GaN-Technologie besteht darin, dass sie bestehende 300-Millimeter-Fertigungsanlagen für Silizium nutzt, da sich Galliumnitrid und Silizium in den Fertigungsprozessen sehr ähnlich sind. Die bestehenden 300-MillimeterSilizium-Produktionslinien von Infineon sind ideal, um eine zuverlässige GaN-Technologie auf den Weg zu bringen sowie eine beschleunigte Einführung und einen effizienten Kapitaleinsatz zu ermöglichen.

Die Infineon Technologies AG gab dieser Tage bekannt, dass es dem Unternehmen gelungen ist, die weltweit erste 300-mm-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für die Leistungselektronik zu entwickeln. Infineon ist das erste Unternehmen weltweit, das diese bahnbrechende Technologie in einer bestehenden, skalierbaren Hochvolumenfertigung beherrscht.

Wesentlich effizienter. Dieser Durchbruch wird dazu beitragen, den Markt für GaN-basierte Leistungshalbleiter deutlich voranzutreiben. Die Chip-Produktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und wesentlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Wafer-Durchmesser die 2,3-fache Menge an Chips pro Wafer ermöglicht. Leistungshalbleiter auf GaN-Basis finden zügige Verbreitung in den Bereichen Industrie, Automotive sowie Konsumenten-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen („Consumer, Computing & Communications“).

Hervorragende Versorgungsstabilität. Beispiele sind Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter sowie Motorsteuerungssysteme. Modernste GaN-Fertigungsverfahren verbessern die Leistung der Bauelemente; das ermöglicht eine höhere Effizienz, geringere Größe und Gewicht sowie niedrigere Gesamtkosten von Anwendungen der Endkunden. Die 300-Millimeter-Fertigung sichert Kunden darüber hinaus eine hervorragende Versorgungsstabilität durch Skalierbarkeit.

„Technologischer Durchbruch“. „Dieser bemerkenswerte Erfolg ist das Ergebnis unserer Innovationskraft und der engagierten Arbeit unseres globalen Teams und unterstreicht unsere Position als Innovationsführer in den Bereichen GaN und Power-Systemen“, sagt Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG. „Dieser technologische Durchbruch wird die Branche verändern und uns helfen, das volle Potenzial von Galliumnitrid zu erschließen. Weniger als ein Jahr nach der Übernahme von GaN Systems beweisen wir erneut, dass wir entschlossen sind, eine führende Rolle im schnell wachsenden GaN-Markt einzunehmen.“

Etablierte Kompetenz in Villach genutzt. Infineon ist es gelungen, 300-Millimeter-GaN-Wafer auf einer integrierten Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Siliziumproduktion in der Power-Fab in Villach (Österreich) herzustellen. Das Unternehmen nutzt dabei seine etablierte Kompetenz in der 300- Millimeter-Silizium- und 200-Millimeter-GaN-Produktion. Infineon wird die GaN-Kapazitäten entsprechend den Marktbedürfnissen weiter ausbauen. Die 300-Millimeter-GaN-Fertigung wird Infineon in die Lage versetzen, den wachsenden GaN-Markt zu prägen, der Schätzungen zufolge bis zum Ende des Jahrzehnts mehrere Milliarden US-Dollar erreichen wird. Der herausragende technologische Erfolg unterstreicht die Position von Infineon als weltweit führendes Halbleiterunternehmen im Bereich der Power-Systeme und des Internets der Dinge (IoT).

Maßgeblicher Beitrag des Villacher Teams. Thomas Reisinger, Vorstand für Operations bei Infineon Technologies Austria: „Wir sind sehr stolz, mit der Entwicklung der Technologie zur industriellen Herstellung der weltweit ersten 300-Millimeter-Power-Galliumnitrid-Wafer einen bahnbrechenden Meilenstein erreicht zu haben. Unser Villacher Team hat maßgeblich zu diesem Konzernerfolg im Bereich der Leistungselektronik beigetragen, der ein wichtiger Hebel für die Dekarbonisierung und Digitalisierung ist.“

Vorstellung im November in München. Infineon wird die ersten 300-Millimeter-GaN-Wafer auf der Branchenmesse electronica im November 2024 in München der Öffentlichkeit vorstellen. Ein wesentlicher Vorteil der 300-Millimeter-GaN-Technologie besteht darin, dass sie bestehende 300-Millimeter-Fertigungsanlagen für Silizium nutzt, da sich Galliumnitrid und Silizium in den Fertigungsprozessen sehr ähnlich sind. Die bestehenden 300-MillimeterSilizium-Produktionslinien von Infineon sind ideal, um eine zuverlässige GaN-Technologie auf den Weg zu bringen sowie eine beschleunigte Einführung und einen effizienten Kapitaleinsatz zu ermöglichen.